半導體表面授子型雜質的基態

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	黃文瑞	en_US
dc.contributor.author	HUANG, WEN-RUI	en_US
dc.contributor.author	褚德三	en_US
dc.contributor.author	CHU, DE-SAN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:28Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:28Z	-
dc.date.issued	1985	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742123006	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52303	-
dc.description.abstract	我們利用李榮章先生等人所提出的微優，變分趨近來計算半導體表面授子型雜質的基態能階。首先我們選擇均向的氫原子式波函數作為未擾動波函數，再由此波函數作第一階微擾修正，其將此結果與變分法所得的結果作一比較。除此之外，我們所用的變分嘗試波函數也被用來改善第一階微擾修正的結果，並且檢驗其正確性。最後，一個由二維氫原子式波函數與一維氫原子式波函數作乘積所形成嘗試波函數被用來計算基態能階，並與前述結果比較。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	半導體	zh_TW
dc.subject	表面授子	zh_TW
dc.subject	雜質	zh_TW
dc.subject	基態	zh_TW
dc.subject	氫原子式波函數	zh_TW
dc.subject	函數	zh_TW
dc.title	半導體表面授子型雜質的基態	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	光電工程學系	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文