淺接面之鎢/ 鋁接觸系統之研究

Abstract

本文將對 A1/W/N+/P 及A1/W/WSix/N+/P 二種淺接面接觸結構的接觸電阻及擴散屏障 的有性性做一研究。實驗結果顯示，鍍Al 後經過500 ℃30 分鐘的退火處理。A1/W/ (N+)Si 及A1/W/WSix/(N+)Si 二種結構之接觸電阻大略相同，但是皆大於A1/(1%Si) /(N+)Si 的接觸電阻。使用A1/(1%Si) 當作N+Si 的接觸材料，在經過450 ℃30 分鐘 退火處理後，N+P 淺接面之接面短路現象仍然是不可避免的。