標題: 複晶矽 P - N 接面
作者: 梁景哲
LIANG, JING-ZHE
李崇仁
雷添福
LI, CHONG-REN
LEI, TIAN-FU
電子研究所
關鍵字: 複晶矽P - N 接面;離子佈植;電容;砷離子;硼離子;電場;Ar+;Si+
公開日期: 1986
摘要: 在本論文中,我們探討了不同的雜質濃度;不同的複晶矽晶粒大小以及Ar 和Si 離 子植入對橫向式複晶矽P-N接面的影響。本實驗中的複晶矽接面都是以離子佈植的方 式來控制其他施體與受禮的濃度,其中硼離子的佈植劑量是從2×10 /平方公分 到1×10 /平方公分,而砷離子的佈植劑量則固定在6×10 /平方公分。我 們發現經過Ar 或Si 離子佈植處理過的複晶矽接面,其特性有顯著的改善。 此外根據複晶矽P-N接面的電容對電壓的特性,我們對在空乏區中和晶界中含有大量 阱陷的複晶矽接面,提出了一個新的觀念模型,從這個模型中,可以推測:在相同的 偏壓下,含有愈多阱陷的接面,其空乏區中將會形成較大的電場。並且當逆向偏壓超 過某臨界偏壓之後,空乏區的寬度將不再隨著逆向偏壓的增加而有明顯的增加。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430057
http://hdl.handle.net/11536/52960
顯示於類別:畢業論文