複晶矽 P - N 接面

Abstract

在本論文中，我們探討了不同的雜質濃度；不同的複晶矽晶粒大小以及Ar 和Si 離 子植入對橫向式複晶矽P－N接面的影響。本實驗中的複晶矽接面都是以離子佈植的方 式來控制其他施體與受禮的濃度，其中硼離子的佈植劑量是從２×１０ ／平方公分 到１×１０ ／平方公分，而砷離子的佈植劑量則固定在６×１０ ／平方公分。我 們發現經過Ar 或Si 離子佈植處理過的複晶矽接面，其特性有顯著的改善。 此外根據複晶矽P－N接面的電容對電壓的特性，我們對在空乏區中和晶界中含有大量 阱陷的複晶矽接面，提出了一個新的觀念模型，從這個模型中，可以推測：在相同的 偏壓下，含有愈多阱陷的接面，其空乏區中將會形成較大的電場。並且當逆向偏壓超 過某臨界偏壓之後，空乏區的寬度將不再隨著逆向偏壓的增加而有明顯的增加。