標題: | Characteristics of polysilicon contacted P﹢-N shallowjunction formed with stacked amorphous silicon films |
作者: | 蔡德安 Cai, De-An 李崇仁 雷添福 Li, Chong-Ren Lei, Tian-Fu 電子研究所 |
關鍵字: | 疊形非晶矽膜;複晶矽;P + -N 淺接面;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
公開日期: | 1991 |
摘要: | 在本論文中,我們報告一個用疊形非晶矽膜當擴散源而形成的高品質 p﹢-N淺接面 。參雜原子會在疊形射極裡層與層間的介面聚集,對由基極入射的少數載子產生多 重電位能障,因而降低基極電流。疊形非晶矽膜形成的 P﹢-N接面有很低的反向漏 電流(<0.8 nA/cm□在-5V偏壓)和順向理想係數m<1.02超過七個數級。本文裡 ▔ ▔ 也有討論硼原子在疊形非晶矽膜,疊形複晶矽膜和單層複晶矽膜中的擴散方式。由 於散亂的擴散結構和參雜原子在層與層間的介面水平快速擴散,因此用疊形擴散源 可形成較均勻的P﹢-N 接面。由於散亂的擴散源結構和層與層之間介面對雜質原子 擴散的阻擋效應,疊形擴散源P﹢-N 接面有較單層複晶矽擴散源P﹢-N 接面為淺的 接面深度。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804430012 http://hdl.handle.net/11536/56464 |
顯示於類別: | 畢業論文 |