標題: Characteristics of polysilicon contacted P﹢-N shallowjunction formed with stacked amorphous silicon films
作者: 蔡德安
Cai, De-An
李崇仁
雷添福
Li, Chong-Ren
Lei, Tian-Fu
電子研究所
關鍵字: 疊形非晶矽膜;複晶矽;P + -N 淺接面;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1991
摘要: 在本論文中,我們報告一個用疊形非晶矽膜當擴散源而形成的高品質 p﹢-N淺接面 。參雜原子會在疊形射極裡層與層間的介面聚集,對由基極入射的少數載子產生多 重電位能障,因而降低基極電流。疊形非晶矽膜形成的 P﹢-N接面有很低的反向漏 電流(<0.8 nA/cm□在-5V偏壓)和順向理想係數m<1.02超過七個數級。本文裡 ▔ ▔ 也有討論硼原子在疊形非晶矽膜,疊形複晶矽膜和單層複晶矽膜中的擴散方式。由 於散亂的擴散結構和參雜原子在層與層間的介面水平快速擴散,因此用疊形擴散源 可形成較均勻的P﹢-N 接面。由於散亂的擴散源結構和層與層之間介面對雜質原子 擴散的阻擋效應,疊形擴散源P﹢-N 接面有較單層複晶矽擴散源P﹢-N 接面為淺的 接面深度。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804430012
http://hdl.handle.net/11536/56464
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