四氫化矽在矽晶片上之選擇性磊晶

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	謝滋普	en_US
dc.contributor.author	XIE, ZI-PU	en_US
dc.contributor.author	李崇仁	en_US
dc.contributor.author	雷添富	en_US
dc.contributor.author	LI, CHONG-REN	en_US
dc.contributor.author	LEI, TIAN-FU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:03:07Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:03:07Z	-
dc.date.issued	1984	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430027	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52078	-
dc.description.abstract	本文使用常壓四氫化矽化學氣相沉積系統來研究其在矽晶片上之選擇性磊晶。良好的選性性可由加入適當的氯化氫氣體來達成。將氧化層之邊緣對準於(100) 的方同並加入適當的氯化氫氣體可在(100) 的矽晶片上得到很平滑的選擇性磊層。本文同時探討了磊品層的碞質與均勻度。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	四氫化矽	zh_TW
dc.subject	矽晶片	zh_TW
dc.subject	磊晶	zh_TW
dc.title	四氫化矽在矽晶片上之選擇性磊晶	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文