矽晶片上薄膜之應力減輕

Abstract

低壓沈積的多晶矽薄膜之應力與其沈積的過程有關。經過熱處理或是雜質擴散的多晶 矽薄膜其應力會產生得明顯的變化，並且可以很確實地降低了多晶矽薄膜的應力。 低壓沈積之Ｓｉ□Ｎ在矽晶片產生的應力和其沈積速率有關，速率愈高所伴隨的應力 愈大。所以低成長速率是降低Ｓｉ□Ｎ應力的一種方法。