四氫化矽在矽晶片上之選擇性磊晶

Abstract

本文使用常壓四氫化矽化學氣相沉積系統來研究其在矽晶片上之選擇性磊晶。良好的 選性性可由加入適當的氯化氫氣體來達成。將氧化層之邊緣對準於(100) 的方同並加入適當的氯化氫氣體可在(100) 的矽晶片上得到很平滑的選擇性磊層。本 文同時探討了磊品層的碞質與均勻度。