以1,2-二甲基四氯二矽烷成長碳化矽薄膜

Abstract

本實驗是以MeCl2SiSiCl2Me為前驅物，主要以 Si(111)矽晶片為基材，沉積溫度在 923K至1473K 之間，經低壓化學氣相沉積法來成長薄膜。當沉積溫度在1173∼1373K 之間，成長速率，結晶性及FT-IR 之吸收強度在該溫度範圍中均有下降的情形發生。 經研究後，發現這種現象的產生是由於此前驅物在高溫及低溫時成長碳化矽薄膜為不 同之機制所造成。而根據分析之結果顯示，此前驅物在1223K 時即成長為接近單晶型 態之碳化矽薄膜。