標題: | VLSI微影技術--晶片步進機之最佳曝光條件 |
作者: | 許金榮 Xu, Jin-Rong 李亞君 Li, Ya-Jun 光電工程學系 |
關鍵字: | 超大型積體電路;晶片步進機;曝光條;件對比轉移函數;門檻能量;光罩;光電學;光學;雷射學;光電工程;VLSI;MTF;ELECTRO-OPTICS-ENGINEERING;OPTICS;LASER;OPTI-ELECTRONIC-ENGINEERING |
公開日期: | 1984 |
摘要: | 八○年代超大型積體電路製作使用的微影技術是以晶片步進機為主力,而在特定皂微 影工作系統裡,通常要求光阻圖案皂微距變化小於10%,為達到這個要求,晶片步進 機的曝光條件控制扮演十分重要的角色。 本文由光學成像的對比轉移函數(MTF)與曝光顯影的門檻能量之間的關係出發, 對單一正弦空間步率,推導出影響微距變化的簡化數學模型;並由此推論:使晶片步 進機得到最焦深與最佳,,微距控制的曝光能量恰與門檻能量成一比例;實驗使用直 線條光罩圖案與不同基片特性的晶片,驗證了此一推論;最後提出一次門檻能量值監 測為重心的步驟,作為實際微距監控的方法。 本文所提出之理論與實驗結果符合,從而為業界發展VLSI提供了最佳曝光修件之 理論和數字依據。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT734123001 http://hdl.handle.net/11536/52248 |
顯示於類別: | 畢業論文 |