標題: VLSI微影技術--晶片步進機之最佳曝光條件
作者: 許金榮
XU, JIN-RONG
李亞君
LI, YA-JUN
光電工程學系
關鍵字: 超大型積體電路;晶片步進機;曝光條;件對比轉移函數;門檻能量;光罩;VLSI;MTF
公開日期: 1984
摘要: 八○年代超大型積體電路製作使用的微影技術是以晶片步進機為主力,而在特定皂微 影工作系統裡,通常要求光阻圖案皂微距變化小於10%,為達到這個要求,晶片步進 機的曝光條件控制扮演十分重要的角色。 本文由光學成像的對比轉移函數(MTF)與曝光顯影的門檻能量之間的關係出發, 對單一正弦空間步率,推導出影響微距變化的簡化數學模型;並由此推論:使晶片步 進機得到最焦深與最佳,,微距控制的曝光能量恰與門檻能量成一比例;實驗使用直 線條光罩圖案與不同基片特性的晶片,驗證了此一推論;最後提出一次門檻能量值監 測為重心的步驟,作為實際微距監控的方法。 本文所提出之理論與實驗結果符合,從而為業界發展VLSI提供了最佳曝光修件之 理論和數字依據。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732123024
http://hdl.handle.net/11536/51945
顯示於類別:畢業論文