| 标题: | VLSI微影技术--晶片步进机之最佳曝光条件 |
| 作者: | 许金荣 XU, JIN-RONG 李亚君 LI, YA-JUN 光电工程学系 |
| 关键字: | 超大型积体电路;晶片步进机;曝光条;件对比转移函数;门槛能量;光罩;VLSI;MTF |
| 公开日期: | 1984 |
| 摘要: | 八○年代超大型积体电路制作使用的微影技术是以晶片步进机为主力，而在特定皂微 影工作系统里，通常要求光阻图案皂微距变化小于10％，为达到这个要求，晶片步进 机的曝光条件控制扮演十分重要的角色。 本文由光学成像的对比转移函数（ＭＴＦ）与曝光显影的门槛能量之间的关系出发， 对单一正弦空间步率，推导出影响微距变化的简化数学模型；并由此推论：使晶片步 进机得到最焦深与最佳，，微距控制的曝光能量恰与门槛能量成一比例；实验使用直 线条光罩图案与不同基片特性的晶片，验证了此一推论；最后提出一次门槛能量值监 测为重心的步骤，作为实际微距监控的方法。 本文所提出之理论与实验结果符合，从而为业界发展ＶＬＳＩ提供了最佳曝光修件之 理论和数字依据。 |
| URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732123024 http://hdl.handle.net/11536/51945 |
| 显示于类别： | Thesis |
