標題: 砷、磷重擴散之源汲金氧半電晶體之元件特性
作者: 陳文洋
CHEN, WEN-YANG
雷添福
LEI, TIAN-FU
電子研究所
關鍵字: 砷;磷;擴散;金氧半電晶體;電晶體;元件
公開日期: 1985
摘要: 本文主要探討砷磷重擴散之源汲金氧半電晶體之元件特性,n 通道金氧半電晶體是利 用雙井區互補場效晶體製程製作。元件的形成是設計元件的相關結構再調整製作參數 以達到最佳特性,相關的製作參數以達到最佳特性,相關的製作參數包括閘層氧化厚 度,植入劑量與能量等。由實驗的結果顯示,重擴散元件較適合於元件縮小的需求。 相似類型的結構還包括LDD ,但是LDD 結構的元件其對稱性與可靠較差,此乃肇因於 串聯電阻過大;因此,砷磷重擴散元件仍為較佳元件。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430026
http://hdl.handle.net/11536/52429
顯示於類別:畢業論文