砷、磷重擴散之源汲金氧半電晶體之元件特性

Abstract

本文主要探討砷磷重擴散之源汲金氧半電晶體之元件特性，n 通道金氧半電晶體是利 用雙井區互補場效晶體製程製作。元件的形成是設計元件的相關結構再調整製作參數 以達到最佳特性，相關的製作參數以達到最佳特性，相關的製作參數包括閘層氧化厚 度，植入劑量與能量等。由實驗的結果顯示，重擴散元件較適合於元件縮小的需求。 相似類型的結構還包括LDD ，但是LDD 結構的元件其對稱性與可靠較差，此乃肇因於 串聯電阻過大；因此，砷磷重擴散元件仍為較佳元件。