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dc.contributor.author洪嘉成en_US
dc.contributor.authorHONG, JIA-CHENGen_US
dc.contributor.author蘇翔en_US
dc.contributor.authorSU, XIANGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:04:24Z-
dc.date.available2014-12-12T02:04:24Z-
dc.date.issued1986en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430024en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52923-
dc.description.abstract一種用富氏轉換空間變量方法,以類橫向模式的分析求得線電容的方法曾被使用過。 基於頻散的特性,本論文提出“假橫向模式近似”來代替“類橫向模式近似”。因此 ,傳播係數和特性阻抗就能以靜場方法計算出來。在矽晶片上製造一條微線,並量出 特性阻抗和傳播係數,顯出實驗結果和計算結果非常符合。本方法不僅用於微線上, 對於耦合線亦非常簡便。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject半導體絕綠層zh_TW
dc.subject上微線zh_TW
dc.subject數值方法zh_TW
dc.subject富氏轉換zh_TW
dc.subject空間變量zh_TW
dc.subject頻散zh_TW
dc.subject假橫向模式近似zh_TW
dc.subject類橫向模式近似zh_TW
dc.title半導體絕綠層上微線的數值方法zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文