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dc.contributor.author金施杰en_US
dc.contributor.authorJIN, JSI-JIEen_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorWU, CHOUG-YUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:04:25Z-
dc.date.available2014-12-12T02:04:25Z-
dc.date.issued1986en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430030en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52930-
dc.description.abstract本文旨在探討互補型金氧半導體元件的閃動雜訊,及互補型金氧半導體差動級的雜訊 特性。經研究發現,互補型金氧半導體元件的問動雜訊,係強烈的受到其基底反偏之 影響。文中提出了一個能夠適當描述此項效應的新雜訊模型,並將之代入一個差動級 分析,藉以求山低雜訊設計的最佳化條件。其次將論及一個數值程式,該程式係應用 上述的最佳化條件,並加入其他的特性方程式,可以自動合成一個最佳化的低雜訊差 動線路。 經由實際元件測量發現,前述的雜維訊模型,對於模擬一個差動級線路的雜訊特性, 較之傳統模型要接近的多,因而證實了該新雜訊模型的準確性。此外也發現,元件具 有較長的通道,或是通道面積較大的元件,其雜訊匹配性亦較佳。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject低雜訊zh_TW
dc.subject運算放大器zh_TW
dc.subject互補型金氧半導體zh_TW
dc.subject閃動雜訊zh_TW
dc.subject基低反偏zh_TW
dc.subject差動級分析zh_TW
dc.subject低雜訊差動線路zh_TW
dc.title低雜訊運算放大器之設計zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文