對金氧半場效電晶體數值模擬幾種新的初始值設定方法

Abstract

本篇論文以De La．Moneda和Meinerxhagen分別提出的方法出發，經適當的修改與增 添後，得到幾種新的適用於單載子元件的初始值設定方法。這些方法已經被實際應用 到包括高偏壓操作和短通道的２維金氧半場效電晶體之模擬上。事實證明這些方法不 但本身耗時甚少，且大幅的降低傳統元件模擬的時間。