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dc.contributor.author鄭道隆en_US
dc.contributor.authorZHEN, DAO-LONGen_US
dc.contributor.author陳茂傑en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.author蘇翔en_US
dc.contributor.authorCHEN, MAO-JIANen_US
dc.contributor.authorLEI, TIAN-FUen_US
dc.contributor.authorSU, XIANGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:03Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:03Z-
dc.date.issued1987en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430019en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53403-
dc.description.abstractSOI 提供了一種高密度、高功能、特殊用途的技術,廣泛的應用在積體電路的製作以 解決目前技術發展所遇到的瓶頸。直接黏合技術克服了傳統SOI 的缺點,成為最有潛 加發展的SOI 技術。本論文首先探討熱生長二氧化矽對矽晶片所產生應力對晶片彎曲 度的顯響,實驗發現1050℃生長的二氧化矽膜具有最小的應力,利用此溫度生長 的二氧化矽晶片來作直接黏合,在黏合溫度高於1000℃得到最佳黏合狀況。用此 條件黏合一n╱p+與一n 晶片,再利用一蝕刻溶液對雜質濃度不同時,蝕刻速率不同 的特性作選擇性蝕刻,得到一高品質的SOI 基片。電性分析結果顯示,在SOI 上製作 的二極體特性與在傳統晶片上所製得者不相上下。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject矽晶片zh_TW
dc.subject直接黏合技術zh_TW
dc.subjectSOI 基片zh_TW
dc.subject積體電路zh_TW
dc.subject熱生長二氧化矽zh_TW
dc.subject應力zh_TW
dc.subject晶片彎曲度zh_TW
dc.title以矽晶片直接黏合技術製作SOI 基片zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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