標題: 以矽晶片直接黏合技術製作SOI 基片
作者: 鄭道隆
ZHEN, DAO-LONG
陳茂傑
雷添福
蘇翔
CHEN, MAO-JIAN
LEI, TIAN-FU
SU, XIANG
電子研究所
關鍵字: 矽晶片;直接黏合技術;SOI 基片;積體電路;熱生長二氧化矽;應力;晶片彎曲度
公開日期: 1987
摘要: SOI 提供了一種高密度、高功能、特殊用途的技術,廣泛的應用在積體電路的製作以 解決目前技術發展所遇到的瓶頸。直接黏合技術克服了傳統SOI 的缺點,成為最有潛 加發展的SOI 技術。本論文首先探討熱生長二氧化矽對矽晶片所產生應力對晶片彎曲 度的顯響,實驗發現1050℃生長的二氧化矽膜具有最小的應力,利用此溫度生長 的二氧化矽晶片來作直接黏合,在黏合溫度高於1000℃得到最佳黏合狀況。用此 條件黏合一n╱p+與一n 晶片,再利用一蝕刻溶液對雜質濃度不同時,蝕刻速率不同 的特性作選擇性蝕刻,得到一高品質的SOI 基片。電性分析結果顯示,在SOI 上製作 的二極體特性與在傳統晶片上所製得者不相上下。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430019
http://hdl.handle.net/11536/53403
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