標題: 低溫研製(800℃以下)複晶矽薄膜電晶體之研究
作者: 王昭傑
WANG, ZHAO-JIE
鄭晃忠
吳慶源
ZHENG, HUANG-ZHONG
WU, GING-YUAN
電子研究所
關鍵字: 複晶矽薄膜電晶體;薄膜電晶體;低壓氣相沈積;等效載子移動率;介電層;低溫製程;臨界電壓
公開日期: 1987
摘要: 薄膜電晶體已被製在用低壓氣相沈積的複晶矽上,不同的介電層結構如高溫成長不同 厚度組成的氧化層╱氮化層,氮化氧化層,和低溫成長的氧化層╱氮化層已被利用作 為薄膜電體之閘極介電層。氫原子值入複晶矽中也已被用來提升薄膜電晶體特性。經 由等效載子移動率,開╱關電流比及臨界電壓的分析,我們發現一些有趣的現象。介 電層的厚度成為影響薄膜電晶體特性的重要因素之一,薄的介電層將會有良好的特性 。另外由於氮化層╱氧化層能夠低溫形成和耐高電壓,且成長氮化矽不會破壞介面整 度,因此利用此氮化層╱氧化層結構,我們可以在低溫(800℃)製程中得到相當 良好特性的薄膜電晶體。 薄膜電晶體的幾何效應將會影響開電流而改變開╱關電流比,原子鈍化複晶矽界的缺 陷將會提高載子移動率和開╱關電流比。雖然在我們實驗中,氮化氧並沒有氫原子鈍 化功能,但它能降低臨界電壓也可導致開╱關電流之提升。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430026
http://hdl.handle.net/11536/53410
Appears in Collections:Thesis