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dc.contributor.author林讚西en_US
dc.contributor.authorLIN, ZAN-XIen_US
dc.contributor.author莊紹勳en_US
dc.contributor.authorZHUANG, SHAO-XUNen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:03Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:03Z-
dc.date.issued1987en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430027en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53411-
dc.description.abstract隨著MOS 電晶體技術的進步,由於通道縮短產生的短通道效應與為了提高元件特性所 使用的二次通道佈植的影響,傳統的MOS 電晶體的電性模式已不敷應用於現代化電路 分析上,吾人必須建立新的模式才能滿足此一需求。 本論人提出一新的以製程為導向的MOS 電晶體電流-電壓模式,並建立一套新的模式 參數擷取法。本模式適用於具有佈植通道的短通道MOS 電晶體,其內容包括元件工作 在次臨界區,線性區及飽和區的電流-電壓公式,除此之外,其最大的特色在於所使 用的參數擷取法可適用於各種不同元件結構與佈植狀況的MOS 電晶體。 為了驗證模式的準性,吾人對一組具有二次通道佈植的元件做電性測試,其結果與模 式預測的結果相當□合,證實了本模式的適用性。另一方面,由於本模式所使用的公 式皆呈相當簡單的形式,很容易被建立在SPICE2 中供做準確的電路模擬與分析的應 用。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject佈植通道zh_TW
dc.subject短通道zh_TW
dc.subjectMOSFET電流-電壓zh_TW
dc.subjectMOS 電晶體zh_TW
dc.subject二次通道佈植zh_TW
dc.subject參數擷取法zh_TW
dc.title具有佈植通道的短通道MOSFET電流-電壓模式zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文