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dc.contributor.author連俊龍en_US
dc.contributor.authorLIAN, JUN-LONGen_US
dc.contributor.author謝正雄en_US
dc.contributor.authorXIE, ZHENG-XIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:22Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:22Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123013en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53663-
dc.description.abstract本論文研究目的在模擬一種以矽(Si)材為主的紅外影像產生器的行為,以便能訊速
地瞭解該元件的工作特性,作為在製造上的參考。在研究中,由矽材的熱容量,熱導
率和電導對濃度與溫度的關係代入非線性齊次熱流方程式中,得出矽材浮橋的焦耳電
熱性質,並分析在熱傳上微小電流變化時溫度的躡擾效應。並結合SPICE (微電子電
路模擬)程式與吾人之程式,模擬出閘電壓控制此微熱器之行為。在我們的數值模擬
中,發現驅動電流之臨界值有溫度不定性之現象,我們經由一新奇的回授電路,可克
服此一溫度不定性。經由對矽材浮橋在不同條件及不同控制電路的研究,我們可模擬
出一最佳化的矽材微熱器元件。
本篇研究矽材微熱器的基本電熱特性,並成功模擬出整個元件的工作特性。我們研究
了在一維上矽材的熱容量,熱導率和電導上的電熱現象,並分析在熱傳上微小電流變
化時溫度的躡擾效應。再結合SPICE 程式將微熱器整合性地模擬出閘電壓與輻射之間
的現象。
在研究中發現臨界現象,幾乎在同一電流時浮橋會產生溫度之不安定性,此現象是因
為矽材電阻係數及導熱率與溫度之間非線性變化所然。由於此現象的發現,將有助於
防止浮橋的熱逃逸(Thermal runaway ),而使浮橋燒毀。
雖然,本模擬系統被我們建立,可是仍有缺點尚須改進。若模擬矽材浮橋能由一維擴
展至二維,能更靈活地變化浮橋的樣式與形狀,進而得一最佳化的浮橋形式。
由於本研究已成功地模擬出矽材微熱器的特性行為,且適用於不同的製造條件,製造
一最佳化之結構,此成果將有助於往後進一步的研究與發展。
zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject閘電壓zh_TW
dc.subject浮橋zh_TW
dc.subject熱逃逸zh_TW
dc.subject電性zh_TW
dc.subject矽材微熱器zh_TW
dc.subject電熱現象zh_TW
dc.subject攝擾效應zh_TW
dc.subject程式zh_TW
dc.subjectTHERMAL-RUNAWAYen_US
dc.subjectSPICEen_US
dc.title矽基材微型電熱元件之熱與電性之模擬zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
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