短通道V型場效電晶體

Abstract

我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術，用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有０．８的MOSFET，除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度，此電晶體特別的地方在於它的 V型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析，V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數，從 實驗結果可以証實部分的理論推測，如閘極氧化層厚度４００A 和通道長０．８的V 型MOSFET，其BV= １０．５V ，gm=３５ms╱mm 。 我們利用V 槽底會累積較多沈積物的特性開發出一種新的製程技術，用此技術可以在 交大半導體中心製造出通道長只有０．８的MOSFET，除此之外我們尚可同時用lift-o -ff 技術來增加元件密度，此電晶體特別的地方在於它的V 型閘極結構與傳統的平面 閘極不同。 根據理論分析，V 型閘極的MOSFET可以承受較大的工作電壓和有較大的傳導係數，從 實驗結果可以証實部分的理論推測，如閘極氧化層厚度４００A 和通道長０．８的V 型MOSFET，其BV=１０．５V，gm=３５ms╱mm。