Full metadata record
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dc.contributor.author周賜明en_US
dc.contributor.authorZHOU, SI-MINGen_US
dc.contributor.author陳茂傑en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.author蘇翔en_US
dc.contributor.authorCHEN, MAO-JIEen_US
dc.contributor.authorLEI, TIAN-FUen_US
dc.contributor.authorSU, XIANGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:05:24Z-
dc.date.available2014-12-12T02:05:24Z-
dc.date.issued1988en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772123048en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/53703-
dc.description.abstract在製作絕緣隔離基片的製程中,由於複晶矽膜產生應力之故,會造成晶片彎曲,而嚴 重影響往後元件之製程,所以為了提出此問題之解決方式,研究半導體工業中常用的 薄膜之應力性質是相當重要的。在本研究中,吾人針對熱成長之二氧化矽、低壓化學 氣相堆積之氮化矽及複晶矽之單層膜及其所組成之雙層膜結構之應力狀況進行探討, 並對其成因加以說明,而在氮氣及氧氣的環境下做熱處理之高溫製程效應也做了實驗 分析。由這些實驗結果,一些減少薄膜應力之可行方式被提出。另外,薄膜在蝕刻有 V型槽之基片上的應力行為也一併討論。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject絕緣隔離基片zh_TW
dc.subject薄膜應力zh_TW
dc.subject晶片zh_TW
dc.subject半導體zh_TW
dc.subject二氧化矽zh_TW
dc.subject氮化矽zh_TW
dc.subject複晶矽zh_TW
dc.title絕緣隔離基片製程中由於薄膜應力造成晶片彎曲問題之研究zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
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