絕緣隔離基片製程中由於薄膜應力造成晶片彎曲問題之研究

Abstract

在製作絕緣隔離基片的製程中，由於複晶矽膜產生應力之故，會造成晶片彎曲，而嚴 重影響往後元件之製程，所以為了提出此問題之解決方式，研究半導體工業中常用的 薄膜之應力性質是相當重要的。在本研究中，吾人針對熱成長之二氧化矽、低壓化學 氣相堆積之氮化矽及複晶矽之單層膜及其所組成之雙層膜結構之應力狀況進行探討， 並對其成因加以說明，而在氮氣及氧氣的環境下做熱處理之高溫製程效應也做了實驗 分析。由這些實驗結果，一些減少薄膜應力之可行方式被提出。另外，薄膜在蝕刻有 Ｖ型槽之基片上的應力行為也一併討論。