标题: | 金氧半电晶体在超薄闸极层(30-100A°)下之特性分析 |
作者: | 赵亮 ZHAO, LIANG 李崇仁 雷添福 LI, CHONG-REN LEI, TIAN-FU 电子研究所 |
关键字: | 金氧半电晶体;电晶体;超薄氧化层;金氧半场效应;闸极;电压特性;氧化闸层 |
公开日期: | 1988 |
摘要: | 在本文中,吾人提出一个新的M SFET结构;在传统的金氧半场效应电晶体闸极的中央 重新成长超薄氧化层,其厚度范围从30埃至100埃不等。靠近汲极与源极为较厚 之氧化层,中间为超薄氧化层;以此高低不同之凹型闸极结构,对于金氧半场效应晶 体在超薄闸极层下之特性,作详细之研究与探讨。 实验结果显示,各种电源--电压特性在氧化闸层厚度为60埃时,有最大值,厚度由 100埃渐渐降低,特性上升至饱和值,随厚度继续降低有下降之趋势。由传输特性 可得知,若氧化层厚度低于60埃时,半导体表层进入反转状态没有预期的容易。且 起始电压在闸层厚度低于60埃时,有明显偏移的现象,吾人引用一个〝φ〞参数, 此参数与少数载子在半导体表面累积之程度有关,藉以对此现象作一探讨。当氧化闸 极层厚度大于60埃时,可视为金氧半元件,少数载子在表层之准费米电位偏差量为 零。当氧化闸极层厚度小于60埃时,可视为金绝半元件,少数载子在表层之准费米 电位有一偏差量,而此偏差量造成起始电压之偏移现象。文中使用程式模拟的方式, 其结果证明在接近起始电压时,由于少数载子的匮乏,使闸极--通道电容远低于理论 之电容值(εi/di)。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430045 http://hdl.handle.net/11536/53912 |
显示于类别: | Thesis |