標題: 砷化鎵/ 砷化鋁雙異質接面雷射陣列
作者: 陳昌斌
CHEN, CNANG-BIN
張國明
ZHANG, GUO-MING
電子研究所
關鍵字: 砷化鎵;砷化鋁;雷射陣列;雷射;陣列;半導體電射;半導體
公開日期: 1988
摘要: 高輸出功率的半導體雷射已經應用於許多用途上,例如雷射印表機,光纖通訊等。本 論文中我們成功地運用液相磊晶技術,製成一包含五條雷射單元的陣列。這種運用肖 特基接觸來隔絕載子的雷射陣列,我們稱之為選擇性歐姆接觸條狀雷射陣列。 由於這種電射結構簡單,且製程不複雜,故實驗上有高良率。我們以液相磊晶技術成 長雙異質椄面結構,再用光罩刻法產生約1μm 深5μm 寬的脊狀雷射單元,最後以 金╱鋅合金對砷化鋁鎵的肖特基接觸的高電阻性來隔絕載子。 雖然沒有散熱裝置和鏡面鍍膜,這電射陣列仍能發射高達1.06W 每面的雷射光。 除了高功率以外,此雷射陣列也有高量子效率63.51%和低起始電流430mA的 優點。 除了功率測量外,我們還測量了雷測半導體的遠場強度分佈,發現雷射光束大部份集 中在-15到15之間,如加以適當聚焦,便可應用於許多用途上。 除上述的測量外,我們還提供二極體之電壓電流曲線及光譜分析,這些可對二極體特 性之好壞提供一些輔助的資料。 在結論之中,我們比較了單位面積發射的能量,發現我們的雷射能量2.12*10 W╱C㎡已超過以前所發表的最高值6±2*10 W╱C㎡。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT772430061
http://hdl.handle.net/11536/53930
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