砷化鎵/ 砷化鋁雙異質接面雷射陣列

Abstract

高輸出功率的半導體雷射已經應用於許多用途上，例如雷射印表機，光纖通訊等。本 論文中我們成功地運用液相磊晶技術，製成一包含五條雷射單元的陣列。這種運用肖 特基接觸來隔絕載子的雷射陣列，我們稱之為選擇性歐姆接觸條狀雷射陣列。 由於這種電射結構簡單，且製程不複雜，故實驗上有高良率。我們以液相磊晶技術成 長雙異質椄面結構，再用光罩刻法產生約１μm 深５μm 寬的脊狀雷射單元，最後以 金╱鋅合金對砷化鋁鎵的肖特基接觸的高電阻性來隔絕載子。 雖然沒有散熱裝置和鏡面鍍膜，這電射陣列仍能發射高達１．０６W 每面的雷射光。 除了高功率以外，此雷射陣列也有高量子效率６３．５１％和低起始電流４３０mA的 優點。 除了功率測量外，我們還測量了雷測半導體的遠場強度分佈，發現雷射光束大部份集 中在－１５到１５之間，如加以適當聚焦，便可應用於許多用途上。 除上述的測量外，我們還提供二極體之電壓電流曲線及光譜分析，這些可對二極體特 性之好壞提供一些輔助的資料。 在結論之中，我們比較了單位面積發射的能量，發現我們的雷射能量２．１２＊１０ W╱C㎡已超過以前所發表的最高值６±２＊１０ W╱C㎡。