完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 沈晉吉 | en_US |
dc.contributor.author | SHEN,JIN-JI | en_US |
dc.contributor.author | 鄭晃忠 | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | ZHENG,HUANG-ZHONG | en_US |
dc.contributor.author | WU,QING-YUAN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:07:07Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:07:07Z | - |
dc.date.issued | 1989 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430048 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/54652 | - |
dc.description.abstract | 低於750℃ 制程溫度之復晶矽薄膜電晶體已被成功地研制。本文主要在探討復晶矽薄 膜的及介電層的厚度和介電層的結構, 如氧化層/ 氮化層雙層結構和氧化層/ 氮化層 / 氧化層三層結構, 對低溫研制之復晶矽薄膜電晶體特性的影響。經由電流–電壓的 電性曲線取得了載子移動率、臨界電壓及開/ 關電流比等參數, 我們發現降低復晶矽 薄膜的厚度可改善復晶矽薄膜電晶體的特性, 例如減少漏電流和提高開/ 關電流比。 降低閘極介電層的厚度亦可改善復晶矽薄膜電晶體的電性, 這可以歸因於較薄的介電 層厚度有較大的閘極電容值, 因而降低了臨界電壓值應提高開狀態的電流值和開/ 關 電流比。藉著濕式再氧化之技術, 擁有氧化層/ 氮化層/ 氧化層三層結構之復晶矽薄 膜電晶體會得到比具有氧化層/ 氮化層雙層結構之復晶矽薄膜電晶體有較佳的電特性 。這可以下面所提的理由來加以解釋。首先, 經由濕式再氧化的氮化層由於氧原子的 介入, 消除了氮化層里面的不完全鍵結, 因而改善了這一氮化層的特性。再者, 底層 的氧化層所受的應力亦會因上面氮化層的不完全鍵結的減少而降低。所以整個閘極介 電層的特性皆改善, 進而提高了復晶矽薄膜電晶體的電性。 總之, 在750℃ 以下, 用較薄的復晶矽薄膜和較薄的閘極介電層( 約200 ),再藉由濕 式再氧化的技術, 可得到特性較佳的復晶矽薄膜電晶體, 且可符合應用在大型平面顯 示器的電性要求。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 高性能 | zh_TW |
dc.subject | 低溫(≦750℃) | zh_TW |
dc.subject | 複晶矽薄膜電晶体 | zh_TW |
dc.subject | 載子移動率 | zh_TW |
dc.subject | 臨界電壓 | zh_TW |
dc.subject | 閘極電容極 | zh_TW |
dc.title | 高性能低溫(≦750℃)複晶矽薄膜電晶體之探討 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |