次微米選擇性無電鍍鉑在矽化鈦上之研究

Abstract

近來由於元件尺寸的大小越來越小，使得超大型積體電路特性越來越好，例如速度和 積體度都增加，但相對地面臨許多的問題，元件的平坦化、接線的時間延遲、接觸窗 的非歐姆接觸、自動對準、和漏電流等都有待解決。 對於上面所提的問題，一般的解決方法都是經過繁複的化學處理、在時間和成本上都 不甚理想。而在這論文裡，利用選擇性無電鍍的方法克服以上困難，它不但儀器簡單 、成本低且操作容易。 選擇性無電鍍是利用基本的氧化還原反應、使金屬離子選擇性地還原成金屬原子沉積 在接觸窗上，接觸窗的表面為矽化鈦結構，在矽基體和被鍍金屬中間，它可減低漏電 充並且形成歐姆接觸。 選擇性無電鍍在次微米矽化鈦接觸窗的技術已經被發展出來，它在超大型積體電路多 層金屬連線結構上的應用是相當具有吸引力的技術，在這論文，成功地使鉑無電鍍沉 積在矽化鈦接觸窗上，但卻不沉積在絕緣層上，因此省去了許多的蝕刻和光學對準等 步驟。 無電鍍鉑的溶液組成在本研究中成功地開發出來，以聯胺還原六氯化鉑酸，使鉑產生 自身催化沉積，沉積速率約每分鐘兩佰埃，而沉積物為非晶系狀態而這沉積層有相當 低的片電阻且沒有鈉污染，這技術亦達到良好的平坦化和選擇性的效果。 綜合以上結果，這技術有幾個好處，像你的操作溫度、簡單的儀器、快速的沉積速率 等，所以選擇性無電鍍鉑在未來超大型積體電路是一種值得採用的方法。