標題: 波長0.98微米之砷化鎵銦╱砷化鎵╱砷化鎵鋁扭曲層單量子井雷射研製
作者: 蔡嘉明
CAI,JIA-MING
李建平
雷添福
LI,JIAN-PING
LEI,TIAN-FU
電子研究所
關鍵字: 波長0.98微米之砷;砷化鎵;砷化鎵鋁;扭曲層單量子井雷;折射率分離局限異;摻鉺光纖放大器;分子束磊晶技術成;雷射光輸出功率
公開日期: 1989
摘要: 本論文之目的在研製波是0.98微米之砷化鎵錮╱砷化鎵╱砷化鎵鋁漸緩折射率分離局 限異構(GRINSCH-SQW) 扭曲層單量子井雷射,由於此波長之雷射可避免激發態吸收效 應,故為摻鉺光纖放大器之最佳推動源。在本實驗中我們採用分子束磊晶技術成長GR INSCH-SQW 結構之雷射,根據其波長對量子井寬度之關係,所成長之量子井寬度為60 ,所得之雷射特性如報導一般優異。 在本論文中,我們圖示所量得的各種特性,包括電流對電壓性,雷射光輸出功率對電 流特性,以及光譜特性等,並根據此而推導出其他與雷射特性有關之重要參數。實驗 獲得之內部損失參數為16.7╱公分,內部量子效率為93.4%,透時電流密度約為9.16 安培╱平方公分,整個量子井之微分增益系數的為10公分╱安培;實驗獲得之最低起 始電流密度為 130安培╱平方公分,其共振腔長度為 500微米,所得之微分量子效率 超過90%,對於具有 400微米長共振腔之 5微米寬脊狀雷射,最低起始電流為9 毫安 培,其波長為0.973 微米,並可維持單縱模操作至兩倍起始電流操作下。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430126
http://hdl.handle.net/11536/54739
顯示於類別:畢業論文