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dc.contributor.author林國雄en_US
dc.contributor.authorLIN,GUO-XIONGen_US
dc.contributor.author陳明哲en_US
dc.contributor.authorCHEN,MING-ZHEen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:07:19Z-
dc.date.available2014-12-12T02:07:19Z-
dc.date.issued1989en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT782430134en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/54748-
dc.description.abstract在此篇論文中我們探討了先進雙載子電晶體的最佳化分析。介紹了一種新式的設計法 則,主要是應用中點、混合式實驗架構設計與反應面分析法。實驗架構設計的目的, 在減少所需實驗的次數,並進而節省實驗上所花費的時間與金錢。在本文中所應用的 ,主要為二位準實驗設計,具有五級的解析度,能夠辨別所有的一階(單變數)與二 階(雙變數乘積)之效應。在此實驗架構之下,我們利用元件模擬器PISCES-ⅡB來獲 得所有的實驗資料。而我們所研究的元件,是一個自動對整雙載子電晶體。為了對此 元件進行分析,我們定義了五個結構參數來做為輸入變數,同時也選取了三個特性參 數來做為輸出變數。然後,根據最小均方,誤差法,將元件的輸出特性參數,表示成 其結構參數之二次方程式。再利用統計理論,化簡這些二次方程式並由聯立不等式之 解,求得元件之一組結構參數,而其相對之輸出特性均能滿足所預定的規格。除了元 件之最佳化之外,我們亦從設計的結果當中,整理出一些資訊,而提供給元件模擬器 PISCES-ⅡB做為分析的根據。在本論文中,所著重在射一基極的設計,因此相關方面 的現象將被提出討論:第一為水平面方向結構的探討;第二為基極濃度與厚度的影響 ;第三為射極接面深度的考量。所有的討論結果,均經過元件模擬器PISCES-ⅡB的分 析,並獲得證實。最後,我們獲得的結論是結合實驗架構設計、統計分析理論與元件 數值模擬器我們可組成一套以模擬為主的設計系統。此系統的功能除了能夠求得最佳 化的元件結構之外,同時亦提供了對元件分析或觀察的一些方向與建議。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject雙載子電晶體zh_TW
dc.subject中點混合式實驗架zh_TW
dc.subject反應面分析法zh_TW
dc.subject二位準實驗設計zh_TW
dc.subject元件模擬器zh_TW
dc.subject最小均方誤差法zh_TW
dc.subject射一基極zh_TW
dc.subject水平面方向結構zh_TW
dc.subjectPISCES-ⅡBzh_TW
dc.title雙載子電晶體的統計分析zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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