完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 周維鈞 | en_US |
dc.contributor.author | ZHOU,WEI-JUN | en_US |
dc.contributor.author | 趙于飛 | en_US |
dc.contributor.author | ZHAO,YU-FEI | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:08:10Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:08:10Z | - |
dc.date.issued | 1990 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124017 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55205 | - |
dc.description.abstract | 藉光的P電場與S電場在介質反射后所構成的不同,以推測介質的折射率,利用Fre- snel方程式導出薄膜多重反射後的P.S 之反射係數比,並求得其對入射光偏極態的改 變,以繪出其在各入射角的特性曲線,此為測量的理論依據。偏極光片與1╱4波長波 片可用來調整入射光的偏極性,旋轉偏極光片,分別測量入射光及出射光在各入射角 度下的亮度分布,根據各角度亮度的分布以測其偏極態,並求出射光與入射光偏極態 比。利用外插法求其Brewster角, 並反求其折射率,以此為初值,代入理論,再求最 佳值。選一載波片作測試此法的可行性。此法至少有三位有效數,但較之一般的折射 計方便且不須破壞待測物。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | P電場 | zh_TW |
dc.subject | S電場 | zh_TW |
dc.subject | 反射係數比 | zh_TW |
dc.subject | 折射率 | zh_TW |
dc.subject | 介質 | zh_TW |
dc.subject | FRESNEL方程式 | zh_TW |
dc.subject | 入射光偏極態 | zh_TW |
dc.subject | 特性曲線 | zh_TW |
dc.title | 利用P與S電場的反射係數比來量測折射率 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |