雙擴散汲極短通道V型場效電晶體

Abstract

利用複晶矽沉積層於Ｖ槽尖端厚於其它部份的特性，加上回蝕（Etching-Back）技術 , 我們可不須利用昂貴複雜的曝光技術而製造出短通道元件。VVMOS（V-Groove Ver- tex MOS ）有較大的崩潰電壓及傳導電導, 加上雙擴散汲極結構, 我們製造出最小通 道長度0.6μm, 崩潰電壓9V、gm=35ms╱mm 的元件, 而最大崩潰電壓的元件乃DVVMOS （1E14）、L=1.2μm、V ＝14V. 其臨界電壓較平面型元件為大, 亦可利用一簡單模 型預測之。 我們將藉著這些元件來觀察短通道效應, 進而對DVVMOS的一些特性作探討。