標題: | 殘餘蝕刻技術之元件應用 |
作者: | 陳俊結 CHEN,JUN-JIE 謝正雄 XIE,ZHENG-XIONG 電子物理系所 |
關鍵字: | 殘餘蝕刻;元件應用;V 槽形成次微米細;短通道元件;微米級;點二極體;高頻操作;1×2μm |
公開日期: | 1990 |
摘要: | 藉由殘餘蝕刻技術,可在矽晶片的V 槽形成次微米細線或細點。此技術是將複晶矽沉 積在V 槽上,再利用乾法或濕法蝕刻,讓V 槽尖端留下殘餘之複晶矽。本文中探討此 蝕刻時間之效應。 利用殘餘蝕刻技術可做出短通道元件及微米級的點二極體。點二極的PN介面面積可小 到1×2μm ,適於高頻操作。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792429020 http://hdl.handle.net/11536/55340 |
顯示於類別: | 畢業論文 |