標題: 殘餘蝕刻技術之元件應用
作者: 陳俊結
CHEN,JUN-JIE
謝正雄
XIE,ZHENG-XIONG
電子物理系所
關鍵字: 殘餘蝕刻;元件應用;V 槽形成次微米細;短通道元件;微米級;點二極體;高頻操作;1×2μm
公開日期: 1990
摘要: 藉由殘餘蝕刻技術,可在矽晶片的V 槽形成次微米細線或細點。此技術是將複晶矽沉 積在V 槽上,再利用乾法或濕法蝕刻,讓V 槽尖端留下殘餘之複晶矽。本文中探討此 蝕刻時間之效應。 利用殘餘蝕刻技術可做出短通道元件及微米級的點二極體。點二極的PN介面面積可小 到1×2μm ,適於高頻操作。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792429020
http://hdl.handle.net/11536/55340
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