完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 王聖評 | en_US |
dc.contributor.author | WANG,SHENG-PING | en_US |
dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
dc.contributor.author | 鄭晃忠 | en_US |
dc.contributor.author | ZHANG-YI | en_US |
dc.contributor.author | ZHENG,HUANG-ZHONG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:08:40Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:08:40Z | - |
dc.date.issued | 1990 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792489048 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/55492 | - |
dc.description.abstract | 鈦鎢氮化物和鈦鎢矽化物於砷化鎵上之接觸,我們系統地探討了經過不同的組成與不 同高溫退火條件其結構和電性上之特性。 鈦鎢氮化物薄膜是由反應性射頻濺鍍在混合的氮-氬氣體中所形成。氮氣的分壓γ值 由1.25% 改變到30% 。而鈦鎢氮化物薄膜的組成、相位、介面熱穩定性和電性大大地 受到γ值的影響。氮原子加入鈦鎢薄膜中有穩定膜之性質以抵抗介面中原子的相互擴 散。退火過程中氮原子含量的減少導致鈦鎢氮化物和砷化鎵接觸結構和電性特性之改 變。由電性測量和歐杰電子光譜分析顯示在γ=30% 時的鈦鎢氮化物薄膜有極佳的介 面熱穩定性和二極體特性即使經過950 ℃,15sec 的快速退火,其二極體仍維持極佳 的特性,其能障為0.76eV,理想系數為1.10。 矽化物與砷化鎵接觸於退火溫度高於600 ℃時剖落。於矽化鎢薄膜中加入鈦原子可促 進矽化鎢薄膜在砷化鎵基材的附著性且鈦原子存在於矽化鎢薄膜中可抑制鎢原子和矽 原子與砷化鎵的反應。由於鈦原子加入W Si 薄膜中而延緩了W Si 結晶相的形成, 因而不利於W Si 薄膜在退火後之二極體特性。 #50012662.abs #50012662.abs | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 鈦鎢氮化物 | zh_TW |
dc.subject | 砷化鎵 | zh_TW |
dc.subject | 濺鍍 | zh_TW |
dc.subject | 相位 | zh_TW |
dc.subject | 能障 | zh_TW |
dc.subject | 矽化鎢 | zh_TW |
dc.title | 鈦鎢氮化物和鈦鎢矽化物在砷化鎵上蕭基接觸之研究 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |