標題: 低溫製程製作的複晶矽薄膜電晶體之研究
The investigation of polycrystalline silicon thin-film transistors fabricated by low-temperature process
作者: 楊玉琪
YANG, YU-QI
葉清發
謝太炯
YE, QING-FA
XIE, TAI-JIONG
電子物理系所
關鍵字: 複晶矽薄膜電晶體;載子移動率
公開日期: 1991
摘要: 本研究為因應未來液晶顯示器及三度空間積體電路的需要,首度以固相成長及液相 沉積閘極氧化層的方法,低溫(小於 625℃)完成研製複晶矽薄膜電晶體。由拉曼 光譜顯示得知低壓化學氣相沉積的非晶矽膜,經由矽離子佈植及 600℃,48小時固 相成長後,所形成的複晶矽層是較佳材質。與使用閘極熱氧化層的高溫(1000℃) 製程複晶矽薄膜電晶體相比較。低溫製造的複晶矽薄膜電晶體(通道長、寬分別為 10及200 微米)在汲極電壓 5V 時,開關電流比為106 ;汲極電壓0.1 V 時,載 子移動率為15 cm□/V.s;臨界電壓 5.6 V;次臨界值為1.6 V/decade,表現足以 當作液晶顯示器畫素電晶體。若再經由電漿氧化處理可減少缺陷,並可獲得較佳特 性。本研究還發現載子移動率與通道長度有密切依存關係。漏電流機制可藉由熱放 射及捕捉能態而穿隧來解釋。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802429017
http://hdl.handle.net/11536/56017
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