側壁間隔技術應用於場效應控制電子遷移元件之研究

Abstract

本文提出使用側壁間隔技術在場效應控制電子遷移元件的新製造方法。元件架構包 含了歐姆陰極接觸，蕭特基閘極和陽極接觸外，再利用側壁間隔縮短陰極與閘極間 的距離，改善輸出功率。目的在於避免對準上的困難。側壁間隔是利用反應離子蝕 刻的非等向性蝕刻特性而形成，不同的操作參數會有不同的側壁輪廓。改變四氟化 碳和氧的比率，找出氮化矽和二氧化矽最高的選擇率。然後再分別改變功率和壓力 ，探討對側壁輪廓的影響。最後得到一個最佳的製程條件。以此條件製作一個場效 應控制電子遷移元件，並且探討在不同溫度下的直流特性。實驗結果顯示，基座溫 度越低，負電阻效應越明顯。