二維金半場效電晶體有限元素之分析與模擬

Abstract

本篇論文以有限元素法模擬金半場效電晶體(MESFET)中電壓和準費米電位 (quasi fermi potential)的分佈情形，進而求得電子濃度分佈和電流－電壓特性曲線。由 於半導體基本微分方程式呈現非線性耦合，首先必須將其線性化，然後再利用有限 元素法使它離散成一組線性代數方程式。矩陣內僅有少部分非零元素，使用非零元 素表來記住非零元素在行與列的位置，如此一來可以省掉許多記憶體空間。最後用 高斯消去法來求得此一代數方程式的數值解最後求得一些小訊號參數與實驗值做比 較結果相當接近。