標題: 於矽單晶上成長經添飾之鈦酸鋇薄膜以應用於鐵電性記憶元件
Growth of modified BaTiO□thin films on silicon substrate for ferroelectric memories
作者: 林明傑
LIN, MING-JIE
邱碧秀
QIU, BI-XIU
電子研究所
關鍵字: 矽單晶;成長經添飾;鈦酸鋇薄膜;鐵電性記憶元件
公開日期: 1991
摘要: 以射頻磁控法來濺鍍經添飾的鈦酸鋇薄膜,此處所應用之添加物為鈣和錳,這些膜 是以陣列排列的金作為電極以測其介電常數、漏電和極化強度,而且交換性測試也 被用以解其可靠度。其介電常數約為13,而漏電在微微安培之範圍,而且加錳確實 可減少其漏電。在磁滯曲線方面,由於膜和矽的異質接面之故,其曲線不對稱。由 交換性測試,得知加鈣確實有助於膜的穩定性之提升。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430070
http://hdl.handle.net/11536/56106
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