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dc.contributor.author王盛勇en_US
dc.contributor.authorWANG, SHENG-YONGen_US
dc.contributor.author鄭晃忠en_US
dc.contributor.authorAHENG, HUANG-ZHONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:09:30Z-
dc.date.available2014-12-12T02:09:30Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430075en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56111-
dc.description.abstract複晶矽薄膜電晶體經電漿鈍化處理後電性有明顯的提昇,本文針對不同的氮氣氫氣 混合比例電漿進行研究,結果發現含有氮氣的氫電漿呈現比純氫電漿處理更佳的電 性。另外,無線電頻率激發的氧電漿亦被採用來與氮氣等比例混合電漿做比較,由 於氧電漿具有雙鍵鈍化與晶粒成長的雙重效果,所以在元件特性上,比氮氫混合電 漿呈現較好的改善。除此之外,我們也用微波激發電漿的系統和無線電頻率電漿做 比較,因為微波電漿系統具有較高的電漿密度,以及造成較少的電漿破壞,因此, 元件的漏電流能被大幅的降低。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject複晶矽薄膜zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject電漿鈍化效應zh_TW
dc.title複晶矽薄膜電晶體電漿鈍化效應之研究zh_TW
dc.titleStudy of plasama passivation effects on polycrystalline silicon TFTsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文