完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 王盛勇 | en_US |
dc.contributor.author | WANG, SHENG-YONG | en_US |
dc.contributor.author | 鄭晃忠 | en_US |
dc.contributor.author | AHENG, HUANG-ZHONG | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:09:30Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:09:30Z | - |
dc.date.issued | 1991 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT802430075 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/56111 | - |
dc.description.abstract | 複晶矽薄膜電晶體經電漿鈍化處理後電性有明顯的提昇,本文針對不同的氮氣氫氣 混合比例電漿進行研究,結果發現含有氮氣的氫電漿呈現比純氫電漿處理更佳的電 性。另外,無線電頻率激發的氧電漿亦被採用來與氮氣等比例混合電漿做比較,由 於氧電漿具有雙鍵鈍化與晶粒成長的雙重效果,所以在元件特性上,比氮氫混合電 漿呈現較好的改善。除此之外,我們也用微波激發電漿的系統和無線電頻率電漿做 比較,因為微波電漿系統具有較高的電漿密度,以及造成較少的電漿破壞,因此, 元件的漏電流能被大幅的降低。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 複晶矽薄膜 | zh_TW |
dc.subject | 電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 電漿鈍化效應 | zh_TW |
dc.title | 複晶矽薄膜電晶體電漿鈍化效應之研究 | zh_TW |
dc.title | Study of plasama passivation effects on polycrystalline silicon TFTs | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |