互補式金氧半鎖定模擬

Abstract

由於〝鎖定(Latch-up)〞效應的物理意義相當複雜，以至於模型的建立並不容易。 同時，由於在負電阻區內的特性不穩定，使得量測也有困難存在。本論文中，我們 使用半導體元件模擬軟體PISCES-IIB，模擬出鎖定效應被激發的完整行為，包括堵 塞區(Blocking state)，負電阻區，鎖定區(Latched) ，以及激發(Triggering)和 保持(Holding) 兩點附近的區域。不同的激發模式如p+擴散區超電壓(Over-shoot) ，電源超電壓（含punchthrough和impact ionization 兩種崩解型式）等都藉此瞭 解其反應機構。另外，對於光電流激發的啟動過程，我們也以不同的元件結構加以 模擬，以便藉由比對使我們更為深入的瞭解其行為。