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dc.contributor.author許保陽en_US
dc.contributor.authorXu, Bao-Yangen_US
dc.contributor.author龍文安en_US
dc.contributor.authorLong, Wen-Anen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:10:06Z-
dc.date.available2014-12-12T02:10:06Z-
dc.date.issued1991en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT804500001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/56504-
dc.description.abstract一般使用高溫回火來使SOG (Spin-on-Glass) 轉化成積體電路製程上所需要的介電質 ,但因所需溫度太高(>500 ℃),不易使用於低溫的積體電路製程中。 本研究主要針對於低溫養電漿進行SOG 改質各種實驗條件的探討。利用FTIR光譜儀來 分析商用SOG (Accuglass 111, Siloxane) 化學結構上的變化。實驗發現:短時間 (5min)的養電漿處理,在FTIR光譜中,即有明顯的變化。亦發現低溫(30℃)時所引起 的FTIR光譜改變不亞於高溫(80∼180 ℃)之氧電漿。至於壓力與功率條件,兩者有類 似的結果,在某一適當值之間,即可使FTIR光譜有最大的變化量。氣體流速的影響, 則呈現不規則的變化。 此外,亦發現紫外光照射對本研究所用之SOG 沒有作用,經數十小時照射後,FTIR光 譜幾乎不變。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電漿改質zh_TW
dc.subject化學zh_TW
dc.subject溫度zh_TW
dc.subject積體電路zh_TW
dc.subject應用化學zh_TW
dc.subjectAPPLIED-CHEMISTRYen_US
dc.subjectCHEMISTRYen_US
dc.title矽氧化物之氧電漿改質zh_TW
dc.titleOxygen plasma modification of siloxaneen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department應用化學系碩博士班zh_TW
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