矽氧化物之氧電漿改質

Abstract

一般使用高溫回火來使SOG (Spin-on-Glass) 轉化成積體電路製程上所需要的介電質 ，但因所需溫度太高(＞500 ℃)，不易使用於低溫的積體電路製程中。 本研究主要針對於低溫養電漿進行SOG 改質各種實驗條件的探討。利用FTIR光譜儀來 分析商用SOG (Accuglass 111, Siloxane) 化學結構上的變化。實驗發現：短時間 (5min)的養電漿處理，在FTIR光譜中，即有明顯的變化。亦發現低溫(30℃)時所引起 的FTIR光譜改變不亞於高溫(80∼180 ℃)之氧電漿。至於壓力與功率條件，兩者有類 似的結果，在某一適當值之間，即可使FTIR光譜有最大的變化量。氣體流速的影響， 則呈現不規則的變化。 此外，亦發現紫外光照射對本研究所用之SOG 沒有作用，經數十小時照射後，FTIR光 譜幾乎不變。