Factors that affecting the growth of β-SiC thin films from dodecamethylcyclohexasilane

Abstract

本實驗研究影響以十二甲基環六矽烷為單一前驅物化學氣相沉積碳化矽薄膜的各種因 素。 經實驗結果發現，於較高的反應器壓力、較小的載流氣體流速、較低的前驅物揮發溫 度下，可得較具結晶性之薄膜；原因可能和反應物被帶至基材表面的量有關。另外， 反應完畢後的升溫鍛燒亦有影響。 而經引入氫氣電漿輔助沉積碳化矽薄膜時，成長之薄膜具有晶粒細密、黏著性佳的性 質。當以掃描穿透式電子顯微鏡做進一步探討時發現，氫氣電漿對化學氣相沉積薄膜 前的前清潔及沉積過程均有助益，其原因可能是氫氣電漿中的原子態氫使矽基材和成 長中薄膜表面產生較多的成核位置所致。