完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 林炳宏 | en_US |
dc.contributor.author | Been-Hon Lin | en_US |
dc.contributor.author | 裘性天 | en_US |
dc.contributor.author | Dr. Hsin-Tien Chiu | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:10:52Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:10:52Z | - |
dc.date.issued | 1992 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT810500013 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/57065 | - |
dc.description.abstract | 本實驗首先利用Al(OC3H7)3為前驅物,以低壓化學氣相沈積法,在基材 Si(100),400-500.degree.C成長出非晶形之氧化鋁薄膜,將這些薄膜 在950.degree.C焠火,可得.gamma.-Al2O3,而在1200.degree.C焠火,則可 得.alpha.-Al2O3。其次以Cr(CO)6為前驅物於基材溫度300-500.degree.C 成長所得的薄膜,送入750.degree.C焠火,於XRD上可看出膜中含氧化鉻 。再以WDS定量出膜中Cr、C、O含量分別為60、20、20 at%,其中C、O含 量大致相近,且基材溫度愈高,C、O含量漸減,而Cr含量漸增。由XPS分 析中可看出膜中除含氧化鉻外,尚含有金屬鉻及與鉻氧鍵結的碳。最後再 以為Cr(CO)6為鉻之來源,Al(CO3H7)3為Al2O3前驅物在基材400.degree.C 時,將鉻雜摻至氧化鋁薄膜中,由WDS分析中可知Cr(CO)6在-15.degree.C 、0.degree.C、25.degree.C揮發,Al(OC3H7)3在135.degree.C揮發, Cr/ Al分別為0.013, 0.021及0.095。將這些樣品送入950.degree.C焠火 ,XRD結果顯示膜為.gamma.-Al2O3,晶格常數a(=b=c)隨鉻之雜摻量之增 加而增加,若再送入1200.degree.C焠火,則可得.alpha.-Al2O3,晶格常 數a(=b )隨鉻之雜摻量之增加而增大,但c卻隨之變小。文中並探討造成 晶格常數發生變化的原因。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 低壓化學氣相沉積法;氧化鋁薄膜;晶格常數 | zh_TW |
dc.subject | low pressure chemical vapor deposition;aluminium ttice constants | en_US |
dc.title | 以低壓化學氣相沉積成長含鉻之氧化鋁薄膜 | zh_TW |
dc.title | Growth of Chromium Doped Alumina by LPCVD | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 應用化學系碩博士班 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |