Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 任興華 | en_US |
dc.contributor.author | REN, XING-HUA | en_US |
dc.contributor.author | 李威儀 | en_US |
dc.contributor.author | LI, WEI-YI | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:11:09Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:11:09Z | - |
dc.date.issued | 1992 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429015 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/57275 | - |
dc.description.abstract | 有機金屬氣相磊晶法在生長化合物半導體上有獨到的優點,本研究目在設計及建立一 多功能高精確度的有機金屬氣相磊晶系統。此系統採常壓操作,可以同時容納12種反 應先驅物,反應腔是石英製水平反應腔,以高功率的紅外燈加熱,長晶溫度最高可達 800℃ 以上。系統中的每一個流量控制器、氣動閥及Manifold都可以選擇經面板控制 或電腦控制,這使得整個系統在控制上既靈活又方便,而且整個長晶過程的的進行完 全由電腦長晶程式控制,可以精確掌握每一個細節。在長晶程式設計上,最小的時間 單位是秒,如此可以達到快速氣體切換的目的,這對磊晶層的界面品質相當有幫助。 有機金屬氣相磊晶法最大的問題在於所使用的反應物具有毒性,這將對整個製程安全 造成威脅,因此我們的系統對於安全措施做了完整的整合工作,這包含了所有的防漏 、測漏設備以及毒氣偵測器,可以完全避免意外的發生。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 有機金屬 | zh_TW |
dc.subject | 氣相磊晶系統 | zh_TW |
dc.title | 有機金屬氣相磊晶系統之研究 | zh_TW |
dc.title | Study of organometallic vapor phase epitaxy system | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子物理系所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |