有機金屬氣相磊晶系統之研究

Abstract

有機金屬氣相磊晶法在生長化合物半導體上有獨到的優點，本研究目在設計及建立一 多功能高精確度的有機金屬氣相磊晶系統。此系統採常壓操作，可以同時容納12種反 應先驅物，反應腔是石英製水平反應腔，以高功率的紅外燈加熱，長晶溫度最高可達 800℃ 以上。系統中的每一個流量控制器、氣動閥及Manifold都可以選擇經面板控制 或電腦控制，這使得整個系統在控制上既靈活又方便，而且整個長晶過程的的進行完 全由電腦長晶程式控制，可以精確掌握每一個細節。在長晶程式設計上，最小的時間 單位是秒，如此可以達到快速氣體切換的目的，這對磊晶層的界面品質相當有幫助。 有機金屬氣相磊晶法最大的問題在於所使用的反應物具有毒性，這將對整個製程安全 造成威脅，因此我們的系統對於安全措施做了完整的整合工作，這包含了所有的防漏 、測漏設備以及毒氣偵測器，可以完全避免意外的發生。