標題: 有機金屬氣相磊晶法成長磷化銦鎵/砷化鎵異質薄膜
Heteroepitaxial growth of GaInP lattice matched to GaAs by MOCVD
作者: 陳銘逸
CHEN, MIN-YI
李威儀
LI, WEI-YI
電子物理系所
關鍵字: 有機金屬;相磊晶法;異質簿膜
公開日期: 1992
摘要: 近幾年來,由於光電工程的快速發展,使得短波長發光半導體元件的需求日益迫切 。本實驗中成長的磷化銦鎵(GaInP)即是一種發光性半導體材料,能隙大小約在1.9 ev的紅光區,但是在某些長晶條件下會發生能隙降低現象,幾年前即有學者開始進 行研究能隙偏低的原因,結果是在晶格中的鎵及銦發生順序排列所造成。 本實驗所採用的長晶儀器乃是一部有機金屬氣象磊晶(MOCVD) 系統並利用各種量測 儀器鑑定磊晶層品質及改變磊晶條件的影響。在〔TMIn〕╱〔TMGa〕=1.075 時是 晶格匹配最佳的條件,而常溫下的P.L.光譜所獲得的半高寬(FWHM)達到35mev ,以 及X-Ray繞射圖鍵定出的半高寬則小到120arcsec。顯示出薄膜品質已相當不錯,將 可更進一步研究發展四元的AlGaInP材料,和應用於光電元件。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT812429031
http://hdl.handle.net/11536/57293
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